Canon lanza el sistema de litografía de semiconductores FPA-3030i6

Canon lanzó recientemente el stepper i-line FPA-3030i6, un nuevo sistema de litografía de semiconductores para el procesamiento de obleas con un diámetro de 8 pulgadas (200 mm) o inferior.

El FPA-3030i6 incorpora una nueva lente de proyección que ofrece una alta transmitancia y una gran durabilidad. El sistema reduce la aberración de la lente en los procesos con altas dosis de exposición y mejora la productividad al acortar dicho proceso.

La nueva lente desarrollada está fabricada con un material de vidrio de alta transmitancia que reduce en más de un 50 % los posibles defectos ópticos que producen aberraciones o desviaciones de la lente durante la exposición en comparación con los modelos anteriores. Esta mayor transmitancia también permite limitar el tiempo de exposición manteniendo la fidelidad del patrón, incluso en condiciones de dosis de exposición elevadas.

Mayor productividad y nuevas posibilidades

La mejora de la transmitancia de la lente aumenta a su vez la intensidad de la exposición y reduce el tiempo de exposición necesario para cada proceso. La productividad estándar del FPA-3030i6 para obleas de 200 mm (8 pulgadas) ha aumentado hasta 130 obleas por hora en comparación con las 123 de los modelos stepper anteriores.

Además, gracias a la durabilidad de la lente es posible disminuir la transmitancia con el paso del tiempo y mantener la productividad durante toda la vida útil del sistema.

El rango de apertura numérica (AN) también se ha ampliado de 0,45~0,63 respecto al modelo anterior (0,30~0,63). La posibilidad de disponer de una AN más pequeña permite a los clientes seleccionar la AN óptima para cada capa del dispositivo.

Además, se pueden encargar productos opcionales, incluido un sistema de manipulación de obleas para sustratos especiales con el fin de satisfacer las necesidades de fabricación de diversos dispositivos semiconductores emergentes, incluidos los de alta potencia y eficiencia.

El FPA-3030i6 está diseñado para admitir una gama más amplia de fabricación de dispositivos gracias a la variedad de opciones de proceso disponibles para sustratos de silicio (Si), así como de zafiro y semiconductores compuestos, como carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) y arseniuro de galio (GaAs).

Canon ofrecerá, a su vez, opciones de alimentación de obleas que permiten la manipulación de sustratos de 50 mm (2 pulgadas) a 200 mm (8 pulgadas) de diámetro, así como la manipulación de sustratos gruesos, finos y alabeados.

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